Zespół technologii półprzewodnikowych/ planarnych posiada do dyspozycji nowoczesne laboratorium o podwyższonej czystości (Klasy od ISO 7 do ISO 4). W przestrzeni tej prowadzone są badania nad przygotowaniem powierzchni, wytwarzaniem cienkich warstw, odwzorowywaniem kształtów, modyfikacji właściwości warstw, usuwaniem/trawieniem oraz charakteryzacja. Większość prac przeprowadzanych jest w wypełni zautomatyzowanych urządzeniach pozwalających nie tylko uzyskać wysoką powtarzalność procesu ale także bardzo dobrą jednorodność na podłożach krzemowych o średnicy do 200mm.
Opisana infrastruktura pozwala na prowadzenie badań w dziedzinie materiałów półprzewodnikowych, przyrządów i systemów półprzewodnikowych opartych nie tylko na technologii krzemowej, ale również prowadzone są prace nad alternatywnymi materiałami takimi jak azotek galu (GaN) czy węglik krzemu (SiC). Zespół współpracuje z różnymi jednostkami naukowymi i badawczymi (wewnątrz PW oraz zewnętrznymi). Jest otwarty na zawiązywanie współpracy z nowymi partnerami oraz prowadzenie prac zarówno pilotażowych jak i docelowych w różnych projektach międzynarodowych oraz krajowych. Dzięki zapleczu parku maszynowego umożliwiającym prowadzenie produkcji pilotażowej lub małoseryjnej jesteśmy również otwarci na współprace z partnerami przemysłowymi.
Zespół prowadzi prace związane modelowaniem i technologią przyrządów półprzewodnikowych. Prowadzone badania dotyczą przyrządów CMOS, diod tunelowych MOS/MIM, elementów pamięciowych. Prace dotyczą także technologii nanostruktur na potrzeby przyrządów mikroelektroniki i fotoniki. Ponadto prowadzone są badania nad technologią przyrządów półprzewodnikowych opartych o GaN oraz materiały 2D (w szczególności grafen) na potrzeby detekcji promieniowania THz.