Projekt
Wielozłączowe diody laserowe z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym – synergia wysokiej mocy optycznej i jednomodowego trybu pracy.
Opis
Technologia oparta na GaN rewolucjonizuje rynek półprzewodników. Diody elektroluminescencyjne i diody laserowe (LD) oparte na GaN osiągnęły dojrzałość i można je znaleźć w takich zastosowaniach jak oświetlenie ogólne, wyświetlacze, oświetlenie, projekcje, medycyna i wiele innych. Nowe technologie, takie jak układy scalone fotoniczne lub zastosowania optyki kwantowej w zakresie widzialnym o krótkiej długości fali lub ultrafioletowym, wymagają laserów jednomodowych o wąskiej szerokości linii jako źródeł światła. Wiele takich zastosowań opiera się na rozproszonych sprzężeniach zwrotnych (DFB) LD, które są specjalnie zaprojektowane do pracy tylko w jednym trybie podłużnym – tym, który pasuje do kratki dyfrakcyjnej wbudowanej w LD. Diody laserowe oparte na GaN mogą obejmować widmo bliskiego UV, niebieskiego i zielonego. Jako diody laserowe DFB, urządzenia te oferują niespotykaną czystość widmową w kompaktowym systemie, który znajdzie zastosowanie w telekomunikacji „ostatniej mili” opartej na włóknach plastikowych, Li-Fi, systemach detekcji światła i pomiaru odległości (LIDAR), komunikacji podwodnej, zegarach atomowych na bazie strontu, pomiarach gazu i monitorowaniu środowiska.
Finansowanie
Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Nauki
Wykonawcy
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Politechnika Warszawska Centrum Zaawansowanych Technologii i Materiałów CEZAMAT
Nr projektu
UMO-2023/51/I/ST7/02723
Wartość projektu
1 732 604,00 zł