Łączenie podłoży – Wafer Bonding
Oferujemy łączenie podłoży wytworzonych z różnych materiałów, w tym z materiałów półprzewodnikowych (krzemu i in.) i dielektryków (szkło, ceramika i in.), do zastosowania w mikroelektronice, nanoelektronice, fotonice oraz w mikrosystemach. Przystosowane do pracy z podłożami okrągłymi 100 mm do 200 mm (4”-8”) oraz fragmentami nie mniejszymi niż 10 mm x 10 mm (0,28’’ x 0,28’’). Możliwość łączenia (Bonding) próbek następującymi technikami:
- adhezyjną (klej),
- eutektyczną (termokompesyjną),
- anodową,
- przy użyciu szkliwa (Glass Frit),
- bezpośrednią (Direct Bonding).
Parametry prowadzenia procesu:
- komora płukana gazem obojętnym,
- zakres kontroli temperatury od 50°C do 500°C z dokładnością ±3°C, stabilnością ±1,0°C i jednorodnością na poziomie ±2%,
- siła nacisku do 20 kN, z programową regulacją,
- maksymalna próżnia 5 ⋅ 10-5 mbar (sterowanie ciśnieniem w komorze procesowej poprzez dozowanie gazu procesowego – N2, w zakresie od 1 do 1 000 mbar),
- możliwość centrowania podłoży z wykorzystaniem urządzenia do centrowania wzorów/masek.
Słowa kluczowe: Bonding, Wafer Bonding, łączenie podłoży, łączenie adhezyjne, termokompresja, łączenie anodowe, Direct Bonding, Glass Frit
kontakt: uslugi.cezamat@pw.edu.pl