Wytwarzanie warstw

Rozpylanie magnetronowe – oferujemy osadzanie warstw metodą rozpylania magnetronowego do zastosowania m. in. w elektronice półprzewodnikowej, fotowoltaice, optoelektronice. System PVD idealnie nadaje się do przeprowadzania zarówno pojedynczych procesów na potrzeby prac badawczo-rozwojowych jak i małych serii produkcyjnych na podłożach zarówno o standardowych jak i nietypowych wymiarach do średnicy 200 mm.

Posiadany system umożliwia sekwencyjne rozpylanie nawet czterech materiałów bez konieczności wyjmowania próbki z komory próżniowej i kontaktu z powietrzem. Dwa tryby rozpylania (RF i DC) pozwalają na wytworzenie warstw dielektryków i metali przy czym możliwe jest również wykonywanie rozpylania reaktywnego w atmosferze azotu i tlenu.

• Możliwość prowadzenia procesu na podłożach o średnicy do 200 mm (możliwe także płytki mniejsze, jak i małe kawałki);
• Osadzanie warstw metali Al, Ti, Cr, Mo oraz dielektryków AlN, TiO₂, Al2O₃, TiN, AlO_xNy, TiO_xNy i innych (możliwe inne materiały po wcześniejszych ustaleniach);
• Grubości warstw od kilku nanometrów do ok. 1 μm;
• Magnetrony pozwalające na pracę w trybie DC, RF oraz pulsed DC;
• Możliwość jednoczesnego załadunku do 4 podłoży;
• Możliwość realizacji sekwencji procesów osadzania różnych warstw (dostępne 4 magnetrony -2 DC i 2 RF).

Osadzanie metodą PECVD – oferujemy osadzanie CVD wspomagane plazmą (PECVD – Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) do zastosowań m. in. w nanoelektronice, fotonice, mikromechanice, pasywacji, hermetyzacji czy wytwarzaniu warstw maskujących. Urządzenie umożliwia nanoszenia warstw tlenków, azotków i tlenko-azotków krzemu o regulowanym współczynniku załamania światła, a także na uzyskanie w kontrolowany sposób warstw materiałów o różnym naprężeniu mechanicznym.

• Grubości warstw od dziesiątek nanometrów do pojedynczych mikrometrów;
• Generator plazmy RF 13,56 MHz oraz generator o zakresie częstotliwości 50-450 kHz
• Możliwość pracy na pojedynczych podłożach o średnicy do 200 mm, jak również na mniejszych podłożach o dowolnych kształtach;
• Osadzanie warstw ditlenku krzemu (SiO₂), azotku krzemu (SiN_x), tlenko-azotku krzemu (SiO_xNy), krzemu amorficznego (a-Si) z możliwością kontroli składu i naprężeń.

Procesy utleniania termicznego – oferujemy proces utleniania dużych partii podłoży krzemowych w kontrolowany i powtarzalny sposób. Możliwość otrzymywania dobrej jakości tlenków termicznych w zakresie grubości od pojedynczych nanometrów do mikrometrów.

• Utlenianie suche i mokre w temperaturze do 1200 °C
• Utlenianie suche przy niskim przepływie tlenu w temperaturze do 1200 °C
• Możliwość procesowania w powtarzalny sposób dużych partii w jednym procesie: 25 podłóż o średnicy 200 mm oraz 50 podłóż o średnicy 100 mm i 150 mm

Procesy osadzania metodą LPCVD – oferujemy wykonanie w kontrolowany sposób procesów chemicznego osadzania z fazy lotnej warstw polikrzemu oraz azotku krzemu pod obniżonym ciśnieniem (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)

• Chemiczne osadzanie z fazy lotnej pod obniżonym ciśnieniem (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) polikrzemu w temperaturze do 900 °C
• Chemiczne osadzanie z fazy lotnej pod obniżonym ciśnieniem (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) azotku krzemu w temperaturze do 900 °C
• Możliwość procesowania w powtarzalny sposób dużych partii w jednym procesie: 25 podłóż o średnicy 200 mm oraz 50 podłóż o średnicy 100 mm i 150 mm

Każdy proces jest wyceniany indywidualnie w zależności od potrzeb klienta. W celu otrzymania wyceny prosimy o kontakt: seminsys.cezamat@pw.edu.pl