dr inż. Marcin Juchniewicz

Adiunkt badawczy

Biografia

Absolwent Wydziału Chemicznego Politechniki Warszawskiej. W 2014 r. obronił pracę doktorską na Wydziale Chemicznym Politechniki Warszawskiej pt. „Opracowanie i badania mikroukładów z konduktometryczną detekcją jonowego składu próbki”. Od 2009 do 2016 r. pracował w Instytucie Technologii Elektronowej gdzie zajmował się głównie technologią wytwarzania tranzystorów HEMT. W latach 2016 do 2019 podjął pracę w Oxford Instruments na stanowisku starszego inżyniera serwisowego i procesowego gdzie zajmował się instalacjami, serwisami i odbiorami urządzeń badawczych i produkcyjnych do półprzewodnikowych procesów plazmowych oraz szkoleniami klientów w cleanroomach na obszarze całej Europy. Od 2019 r. związany jest z CEZAMAT-em gdzie pracuje na stanowisku adiunkta. Jego obszar zainteresowań badawczych obejmuje procesy plazmowe, procesy litografii, implantację jonów oraz zagadnienia związane ze zjawiskami mikroprzepływów.

Obszar badań

  • procesy plazmowe w technologii półprzewodnikowej
  • procesy litografii
  • implantacja jonów
  • tematyka mikroprzepływów

Wybrane publikacje

  1. M.A. Borysiewicz, M. Juchniewicz, P. Prystawko, A. Zagojski, M. Wzorek, M. Ekielski, K. Pągowska, W. Zaleszczyk, Hierarchically porous GaN thin films fabricated using high fluence Ar ion implantation of epitaxial GaN on sapphire, Thin Solid Films, Volume 758, 2022,139429
  2. Lelit, M.; Słowikowski, M.; Filipiak, M.; Juchniewicz, M.; Stonio, B.; Michalak, B.; Pavłov, K.; Myśliwiec, M.; Wiśniewski, P.; Kaźmierczak, A.; Anders, K.; Stopiński, S.; Beck, R.B.; Piramidowicz, R. Passive Photonic Integrated Circuits Elements Fabricated on a Silicon Nitride Platform. Materials 2022, 15, 1398.
  3. Rutkowska, K.A.; Sobotka, P.; Grom, M.; Baczyński, S.; Juchniewicz, M.; Marchlewicz, K.; Dybko, A. A Novel Approach for the Creation of Electrically Controlled LC:PDMS Microstructures. Sensors 2022, 22, 4037. https://doi.org/10.3390/s22114037
  4. Pawłowska, S., Gierowski, J., Stonio, B. et al. Implementation of SiN thin film in fiber-optic sensor working in telecommunication range of wavelengths. Sci Rep 11, 22402 (2021). https://doi.org/10.1038/s41598-021-00195-9
Skip to content